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              中国内存严重落后于世界

              2018-03-28 15:13:07

              如果说NAND闪存以及NOR闪存市场上,中国公司尚有一丝存在感的话,那么在DRAM内存领域上真的是一无所有。

              最近测评紫光的DDR3颗粒整体表现还不错,也有部分媒体写的很夸张,似乎紫光DDR3内存要碾压金士顿、芝奇、三星了,但是真正的情况是紫光的DDR3内存也是刚起步而已,现在网上买的紫光颗粒DDR3内存条主要是经销商所为,数量并不多,店铺显示的库存只有60多条而已。
               
              但是这DDR3内存也不是紫光自主研发的,生产单位西安紫光国芯其实是买来的,一开始它是英飞凌2003年在西安成立的存储芯片部门,2006年英飞凌半导体业务拆分成立了奇梦达科技,2009年他们被国内的浪潮公司收购,重组成了西安华芯半导体,2015年紫光从另一个清华系公司同方手中收购了同方国芯的36%的股权,成立了紫光国芯,而西安紫光国芯就是他们从浪潮手中买来的,现在是子公司,他们的DDR3内存实际上也是奇梦达公司的遗产。
                
              虽然DDR3内存现在还没有遭到淘汰,但是它确实不是现在桌面、服务器以及智能设备的主流了,所以更多人倾向于期待紫光国产DDR4内存,不过早前紫光针对这事辟谣过,表示现在还没有量产DDR4内存,后来我们得到的消息说紫光预计在今年下半年推出DDR4内存颗粒,但是具体的情况就一无所知了,容量、价格等等关键信息还是未知数。
                
              不仅是主流内存量产进度落后于国际,国产内存现在还有技术落伍的风险,至今为止紫光的DDR3颗粒制程工艺也没有对外公布,但是由于奇梦达已经是10多年前的事了,西安紫光国芯的DRAM工艺至少也是30nm及以上级别的了,而现在主流的内存工艺早就是20nm级别了,三星2016年就量产18nm工艺了,下一步就是17nm工艺了。

              国产内存确切的制程工艺一直是个谜,但是我们可以从蛛丝马迹下验证,去年兆易创新公司宣布进军DRAM内存,他们与合肥市政府控股投资公司签署了合作协议,项目预算高达180亿元,目标是在2018年底研发出19nm工艺的内存芯片。如果研发成功了,兆易创新的内存工艺其实还是挺先进的,尽管还是比不过三星,但至少也是主流级别的了,只不过兆易创新的目标是良率不低于10%,这个标准并不是量产水平的,10%的良率只可能是技术实验,这说明量产上市暂时还实现不了。
                
              别说DRAM内存了,国内的NAND闪存工艺还是非常落后的,紫光在武汉的长江存储公司现在研发的只是32层堆栈的闪存,核心容量不过64Gb,这比目前主流64层堆栈、核心容量256Gb甚至512Gb的3D NAND落后两年时间。

              而兆易创新的NAND闪存量产水平才是38nm工艺,24nm级别的还在研发中,目前还是2D NAND闪存,而三星、东芝早就量产15、16nm工艺的2D NAND闪存了, 2D闪存是他们正在淘汰的技术

              国产内存基础这么差,技术差距这么大,难道我们要放弃发展这个领域吗?这当然是不可能的,我国不止存储芯片领域落后于他人,以前大家羡慕日本、欧洲的高铁,现在中国的高铁里程远超其他国家,内存产业也会如此,中国这么大的市场完全依赖进口是不可行的,在国产内存这个问题上,中国拥有全球最大的市场,而且现在有大笔投资,我们的方向是正确的,现在缺少的是理性的发展策略。
               
              本文关键词:NAND闪存     DDR3

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