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              Everspin推出的第一款STT-MRAM

              2018-05-03 11:25:38

              Everspin最新的MRAM技术是利用自旋扭矩传输特性,即利用极化电流来控制电子的自旋,从而建立自由层的所需磁状态,从而对存储器阵列中的位进行编程或写入。
               
              与Toggle MRAM相比,自旋转矩MRAM或STT-MRAM可显着降低开关能量,并具有高度可扩展性,可实现更高密度的存储器产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ堆叠设计,可提供长数据保持率,小单元尺寸,更高密度,高耐用性和低功耗。
               
              Everspin推出的第一款STT-MRAM产品采用ST-DDR3,这是一种类似JEDEC的DDR3接口,并需要进行一些修改以充分利用MRAM技术的持久性。这些产品的性能如同持久性DRAM,但无需刷新。其他产品计划将利用高速串行接口用于各种嵌入式应用。
              STT-MRAM

              本文关键词:STT-MRAM

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